• <bdo id="s2sss"><center id="s2sss"></center></bdo>
  • <table id="s2sss"><noscript id="s2sss"></noscript></table>
  • 新聞中心

    EEPW首頁 > EDA/PCB > 業界動態 > 三星3納米超車臺積電?重要數據曝光!結局出乎意料

    三星3納米超車臺積電?重要數據曝光!結局出乎意料

    作者:時間:2022-05-04來源:中時電子報收藏

    在4月中的法說會曾透露,預計今年下半年量產,2納米制程的量產時間則落在2025年,沒想到上周公開表示,公司將在未來幾周內量產。若此事成真,將搶先量產,然而在制程利率的問題仍是外界關注焦點,先前有外媒披露,三星3納米的良率最高僅2成,迫使部分IC 設計大廠選擇轉單至。
    科技網站Tom's Hardware報導,三星上周發出一份公開聲明,內容提到公司將透過世界上首次大規模生產3納米GAA技術來加強技術在產業領先的地位,有望在本季,即未來幾周內開始量產。
    另一方面,臺積電4月中法說會曾提到,3納米制程預計年底量產,2納米按照進度開發,預計2024年進入風險試產階段,于2025年量產。臺積電3納米使用的是FinFET架構,與三星使用的GAA架構不同,臺積電要是在2納米才轉向使用GAA架構。
    若三星真的在本季量產3納米,代表他們將超車臺積電,但產品的良率仍是關注焦點,先前有外媒披露,三星3納米由于專利IP數量的不足,導致良率僅10至20%左右,這使得客戶出現擔憂,且三星4納米的良率雖然有較高的35%良率,但遠遠不及臺積電的7成,使得高通選擇轉單臺積電。

    本文引用地址:http://www.pc535.com/article/202205/433723.htm


    關鍵詞: 三星 3納米 臺積電

    評論


    相關推薦

    技術專區

    關閉
    丰满人妻销魂娇喘呻吟,深田咏美睡梦中被公强,热热see色原网色原网站
  • <bdo id="s2sss"><center id="s2sss"></center></bdo>
  • <table id="s2sss"><noscript id="s2sss"></noscript></table>